Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
? IGBT switching characteristics matched to system requirement.
? Low leakage current and high isolation voltage due to DBC-based substrate
? Divided 3-N Power Terminals provide easy and cost-effective phase current sensing.
? Easy to PCB layout due to built in bootstrap diode.
? Active-high input signal logic, resolves the startup and shutdown sequence constraint between
the control supply and control input, this provides fail-safe operation with direct connection
between the Mini DIP SPM and a 3.3V CPU or DSP. Additional external sequence logic is not
needed.
Integrated Functions
? Inverter high-side IGBTs: Gate drive circuit, High-voltage isolated high-speed level shifting,
Control supply under-voltage (UV) protection
? Inverter low-side IGBTs: Gate drive circuit, Short-circuit protection with soft shut-down control,
Control supply circuit under-voltage protection
? Fault signaling (V FO ): Corresponding to a SC fault (low-side IGBTs) or a UV fault
(low-side supply)
? Input interface: 3.3V, 5V CMOS/LSTTL compatible, Schmitt trigger input, Active high.
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
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FSBB20CH60BT 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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